Tato nová technologie zrychluje přístupovou dobu na paměti.

„Tímto průlomovým řešením spojovacího článku mezi procesorem a pamětí  IBM efektivně zdvojnásobuje výkon mikroprocesorů, a překračuje tak veškeré možnosti klasické miniaturizace prvků,“ řekl Dr. Subramanian Iyer, ředitel vývoje 45nm technologie ve společnosti IBM.

Tato technologie bude k dispozici od roku 2008.

Specifikace technologie eDRAM:

• Velikost buňky: 0,126 mm²
• Napájení: 1 V
• Dostupnost: 98,7 %
• Mřížka (tile): 1K RowX16 Col X146 (2Mb)
• Odběr proudu: 76 mW
• Udržovací odběr v úsporném režimu: 42 mW
• Doba náhodného cyklu: 2 ns
• Latence: 1,5 ns